其特性在於不使用矽半導體為基材,於具有導電膜的基板上將奈米尺寸的二氧化鈦微粒塗布成糊狀,使用 450℃對其進行燒結而得半導體光電極。相較於傳統矽基太陽電池,具有可接受日照光譜範圍大、30℃以上高溫條件下電力輸出較高、及低光量下仍有高轉換效 率等優點。由於不使用昂貴的高純度矽,以及製程簡易不需真空設備,使未來低價化太陽電池之實現成為可能。
目前台系廠包括介面光電、永光化學等業者投入該領域,由於製成成本相當具競爭性,所以枱面下也有相當多的學術研究單位及業者正在積極評估該領域。
全球Wi-Fi HaLow晶片領導廠商 摩爾斯微電子(Morse Micro) 宣布其與 Airfide Networks 合作推出的新一代 微移動佔用感測器 AFN6843 現已全面上市,並強化了 Wi-Fi HaLow 連線功能。此公告於日本次世代通信技術展(COMNEX...
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